半导体厂用 0.01μm 压缩空气精密过滤器

半导体厂用 0.01μm 超精密过滤器,属于半导体高纯气源终端过滤设备,针对晶圆制造、光刻、刻蚀、封装测试、芯片检测等高洁净等级工况设计。半导体工艺对悬浮亚微米颗粒管控极其严格,微小粒子会直接造成晶圆...

基本参数:

型  号: LFJ-159-100 过滤介质: 空气 材  质: 碳钢 不锈钢 工作压力: 0.6Mpa 工作温度: 10-80℃ 结  构: 立式 过滤精度: 1-5μm 使用范围: 钢厂、化工厂、冶金
半导体厂用 0.01μm 压缩空气精密过滤器

产品介绍


压缩空气精密过滤器是针对晶圆制造、光刻、刻蚀、封装测试、芯片检测等高洁净等级工况设计。半导体工艺对悬浮亚微米颗粒管控极其严格,微小粒子会直接造成晶圆良率大幅下降。这款过滤器过滤精度可达 0.01μm,采用进口高端膜滤材,能够高效捕捉亚微米级悬浮颗粒,同时控制气源内油分、水汽残留。壳体采用高洁净 316L 不锈钢,电解抛光,极低释气率,材质不会析出微粒、有机挥发物,避免二次污染晶圆。内部流道无死角,采用全密封无旁通结构,搭配高纯氟橡胶密封件,耐特种工艺气体、高温环境。支持完整性测试,出厂附带气泡点检测报告,可满足半导体洁净车间认证要求。一般布置在工艺用气终端,作为最后一道净化屏障,搭配前置多级预处理过滤器,保障光刻、刻蚀、薄膜沉积工序气源洁净度,减少晶圆颗粒缺陷,提升芯片良率,是半导体洁净制程不可或缺的核心过滤装备。

性能特点

1、半导体厂用 0.01μm 超精密过滤器核心过滤精度 0.01μm,选用高性能膜滤材,专门捕捉压缩空气里亚微米级悬浮微粒,可阻挡常规过滤器无法拦截的超细粒子,保护晶圆、光刻镜头不受颗粒污染,稳定芯片良率。
2、壳体采用高纯 316L 不锈钢电解抛光工艺,内壁极低释气率,几乎无微粒析出、无有机挥发物释放,不会向高纯气源带入外来污染物,符合半导体洁净厂房高等级材质管控标准。
3、内部流道无死角设计,气流平顺均匀,不存在积液积尘盲区,避免杂质在腔体内部堆积后间歇性释放微粒,杜绝间歇性颗粒污染晶圆,适配光刻、刻蚀等高敏感制程。
4、配套高纯氟橡胶密封组件,耐有机介质、耐高低温,材质析出物极低,不会出现溶胀、掉屑问题,做到零旁通密封,保证所有气体全部经过滤材过滤,杜绝未过滤气体直入工艺端。
5、滤芯支持标准气泡点完整性测试,方便半导体厂定期验证滤芯完好性,及时发现滤芯破损隐患,防止一旦滤膜破损,大量超细颗粒直接进入晶圆制程造成批量报废。
6、超低压损滤膜结构,在超高过滤精度前提下控制气流阻力,减少高纯供气系统压力波动,保障刻蚀机、沉积设备、光刻机供气压力稳定,避免工艺参数漂移。
7、适配晶圆制造、光刻、刻蚀、PVD/CVD 薄膜沉积、芯片封装、探针测试等全流程半导体工艺用气,作为终端最后一道过滤屏障,承接前置过滤器的净化基础进一步提纯气源。

技术参数

压缩空气精密过滤器选型表
型号进出口口径壁厚(mm)规格(mm)结构形式滤芯数量流量(m³/min)材质工作压力
LFJ-108-DNDN503Φ108*800无支腿15碳钢/不锈钢﹤1.0mpa
LFJ-133-DNDN653Φ133*800无支腿111
LFJ-219-DNDN803Φ219*800无支腿218
LFJ-273-DNDN803Φ273*950无支腿342
LFJ-325-DNDN1004Φ325*1200无支腿354
LFJ-377-DNDN1004Φ377*1200无支腿572
LFJ-426-DNDN1256Φ426*1200支腿式772~85
LFJ-480-DNDN1506Φ480*1200支腿式895~120
LFJ-550-DNDN2006Φ550*1350支腿式10150~180
LFJ-600-DNDN2506Φ600*1350支腿式11180~220

应用领域

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客户案例

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